Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPB06N03LB G
IPB06N03LB G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPB06N03LB G

Номер детали производителя IPB06N03LB G
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Упаковка PG-TO263-3
В наличии 6902 pcs
Техническая спецификация IPB06N03LBPart Number GuideMultiple Devices 04/Jun/2009
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6902 Infineon Technologies IPB06N03LB G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 40µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-3
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 83W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2782 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 22 nC @ 5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Tc)
Базовый номер продукта IPB06N

Рекомендуемые продукты

IPB06N03LB G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для IPB06N03LB G

Связанные детали для IPB06N03LB G